专题：市场震荡再平衡 积极防御仍是核心
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十年磨芯 长鑫科技今日登陆科创板
◎记者 刘一枫
7月27日，备受瞩目的国产DRAM存储芯片龙头企业长鑫科技登陆科创板，发行价8.66元/股，募资总额达579.19亿元，刷新科创板IPO最高募资纪录。
十年潜渊，终见龙田。在全球存储巨头长期垄断的格局下，长鑫科技的上市无疑将成为国内“硬科技”企业发展具象化的重量级名片，对国内存储产业及资本市场意义深远。
十年突围：从代号“506”到全球第四
7月24日傍晚，长鑫科技上市前的最后一个工作日，合肥刚下完一场暴雨。上海证券报记者驱车从市区沿机场高速向西北行驶，道路两侧农田与新桥新兴产业示范园区的楼宇次第切换——这里正是长鑫科技合肥总部所在地。暮色下，厂区东大门进出人群秩序井然，佩戴蓝色“CXMT”工牌的员工严格刷卡，这个极有可能突破万亿元市值的产业园区一如往日的平静。
两个月前，长鑫科技更新科创板IPO申报材料，单季度营收突破500亿元、归母净利润近250亿元，亮眼业绩令这家国产DRAM龙头迅速成为市场焦点。而这道国产存储替代的关键伏笔，早已埋在十年前尚不被外界看好的产业“赌局”之中。
股票极速配资开户时间回溯至2016年5月6日，一场关键专项研讨会在合肥召开。兆易创新创始人朱一明携核心技术团队与合肥官方达成战略合作，正式启动代号“506项目”的国产DRAM攻坚计划。彼时，全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三家企业合计占据超过95%的市场份额，国内每年存储芯片进口支出逾千亿元。
自主创新之路并非坦途。2019年，长鑫科技成功下线中国首颗自主设计、自主制造的DDR4内存芯片，实现中国DRAM产业“从0到1”的历史性突破。然而，此后五年，公司进入漫长的持续投入、产能爬坡、工艺迭代、客户验证周期。
拐点出现在2025年，长鑫科技首次实现全年扭亏。根据Omdia数据，按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，全球市场份额从近乎为零攀升至2025年第四季度的7.67%。
周期馈赠：高盈利面临持续性考验
“DRAM行业具有强周期性特征，价格波动较大，且AI发展对DRAM市场需求存在不确定性。”在上市前的网上路演现场，长鑫科技董事长朱一明多次直面投资者关于行业周期的风险疑虑。数据显示，2015年至2025年，DRAM产品价格最高达到7.89美元/GB，2023年上半年的最低点为1.78美元/GB，高点与谷底的价差达数倍。
纵观整个存储行业周期，极易出现“涨价—盈利—扩产—过剩—跌价”的经典循环。一位长鑫科技的早期投资人在接受记者采访时表示：“项目进入投决阶段后，我们唯一可能拿不准的就是回报周期到底有多长，能否匹配基金存续期限。”
2025年下半年以来，AI浪潮拉动的算力基础设施扩张无疑是本轮DRAM产业需求的核心驱动力。从需求端看，单台AI训练服务器的DRAM搭载量是传统服务器的8倍至10倍，预计2026年约66%的DRAM产能供给于AI服务器赛道；从供给端看，三星、SK海力士、美光将近八成的先进制程产能倾斜至HBM（高宽带内存）、DDR5等高附加值产品。
供需错位下，2026年一季度，通用DRAM合约价环比涨幅高达93%至98%。根据长鑫科技招股书中2026年上半年业绩预告中枢测算，预计日均盈利近3亿元，单季利润几乎抹平过去数年亏损。有业内专家向记者表示，长鑫科技的产能释放叠加行业涨价红利放大了盈利弹性。
然而，伴随近期全球资本市场对半导体产业发展前景的分歧加剧，市场不禁追问：暴涨的业绩背后究竟是内生竞争力实现了质变，还是恰好站上了行业周期的上行风口？
摩根士丹利在近期报告中提示，DRAM合约价同比增速预计将在2026年四季度见顶，头部厂商盈利预期增速已从峰值的92%回落至77%。从全球版图看，加大产业投资已经是确定性事件，三星、SK海力士、美光等陆续宣布数千亿美元新增投资，未来2年至3年，大量新增产能将流向市场。
长鑫科技自身也在积极扩产。根据公告，长鑫科技计划将本轮募集资金投向新一代DRAM产能扩建与HBM高带宽存储技术研发项目。朱一明在路演时表示：“公司将持续通过技术迭代、产能优化和成本管控提升抗周期能力，并计划推出更新代际产品，预计将进一步提升公司在全球市场的竞争力。”
全球竞速：追赶仍在继续
“发行价8.66元/股，公开发行数量66.88亿股”，审慎合理的定价及发行规模吸引了近943万户投资者参与长鑫科技“打新”，有效申购股数为8169.2亿股。在此前市场的乐观预期下，长鑫科技上市后市值可能达到2万亿元至3万亿元。与此对应的产业现实是：全球DRAM市场约90%的份额依然掌握在三星、SK海力士、美光手中，我国存储芯片企业自立自强的同时，仍与上述三家企业存在客观差距。
最直观的落差体现在产品结构。在新一轮AI需求爆发的背景下，以HBM为代表的高端芯片市场仍由SK海力士、三星主导，美光紧随其后。SemiAnalysis分析师近日表示，长鑫科技在HBM相关技术层面，相较海外头部企业仍存在差距。现阶段，公司的主营业务收入依然来自DDR5/LPDDR5等通用产品。
先进制程是技术迭代的另一道门槛。招股书显示，长鑫科技已完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产，以及从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和代际演进。但根据半导体产业规律，向更先进工艺推进时，成本适配、良率控制等难度随节点前移呈指数级上升，而海外巨头已启动新一代工艺布局，技术迭代速度差客观存在。
更深层次的挑战，还源于长鑫科技尚未经历完整的行业周期。海外巨头多拥有多元化业务矩阵及充裕的现金储备以对冲行业下行风险，而长鑫科技营收高度集中于DRAM单一赛道。
然而面对考验，市场并非只有质疑。本次IPO中，稀缺国产存储核心资产叠加合理定价，为长鑫科技吸引了阵容优质的战略配售投资方。根据战配名单，30名投资者包括全国社保基金、国家级产业投资基金等长期资本，以及中微公司、澜起科技、通富微电、沪硅产业等半导体产业链公司，和小米、阿里云、腾讯、美团、蔚来等下游终端企业。
一位投行人士向记者表示：“产业资本选择长线持仓，看重的是供应链自主可控的长期价值。约7.7%的全球份额在寡头格局下依旧渺小，但回望十年前，这一数值是0。技术代差、产业断点、体系缺口，既是亟待追赶的差距，也蕴藏着广阔的市场空间。”
元股证券:ygzq.hk随着7月27日长鑫科技正式上市配资炒股排行，中国DRAM产业走完“从0到1”的第一步，“从1到N”的征途或许才刚刚开始。
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